Numéro de produit du fabricant:
SQD07N25-350H_GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SQD07N25-350H_GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Description détaillée:
N-Channel 250 V 7A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12965545
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SQD07N25-350H_GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
350mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1205 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
71W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
SQD07
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
SQD07N25-350H_GE3DKR
SQD07N25-350H_GE3TR
SQD07N25-350H_GE3CT
SQD07N25-350H_GE3-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PJQ2416_R1_00001
DFN2020B-6L, MOSFET
IPT014N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
SIRA58ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
