Numéro de produit du fabricant:
SIRA58ADP-T1-RE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIRA58ADP-T1-RE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Description détaillée:
N-Channel 40 V 32.3A (Ta), 109A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaire:
12000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12965558
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SOUMETTRE
SIRA58ADP-T1-RE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
32.3A (Ta), 109A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.65mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+20V, -16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3030 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Ta), 56.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SIRA58
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SIRA58ADP-T1-RE3TR
742-SIRA58ADP-T1-RE3CT
742-SIRA58ADP-T1-RE3DKR
SIRA58ADP-T1-RE3DKR
SIRA58ADP-T1-RE3TR-DG
SIRA58ADP-T1-RE3DKR-DG
742-SIRA58ADP-T1-RE3TR
SIRA58ADP-T1-RE3CT-DG
SIRA58ADP-T1-RE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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SI7117DN-T1-E3
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