Numéro de produit du fabricant:
SQ4949EY-T1_GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SQ4949EY-T1_GE3-DG
Description:
MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 7.5A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
46149 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12786257
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SOUMETTRE
SQ4949EY-T1_GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.5A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
35mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1020pF @ 25V
Puissance - Max
3.3W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
SQ4949
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SQ4949EY-T1_GE3DKR
SQ4949EY-T1_GE3CT
SQ4949EY-T1_GE3TR
SQ4949EY-T1_GE3-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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