Numéro de produit du fabricant:
SIZ926DT-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIZ926DT-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 25V 40A 8PWRPAIR
Description détaillée:
Mosfet Array 25V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Inventaire:
12786316
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SIZ926DT-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
25V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
40A (Tc), 60A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Puissance - Max
20.2W, 40W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PowerPair® (6x5)
Numéro de produit de base
SIZ926
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SIZ926DT-T1-GE3TR
SIZ926DT-T1-GE3DKR
SIZ926DT-T1-GE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SQ1539EH-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.85A SC70-6
SIA929DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
SIZ910DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
