SIA929DJ-T1-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SIA929DJ-T1-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIA929DJ-T1-GE3-DG

Description:

MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Inventaire:

1696 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12786347
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SIA929DJ-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
64mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
575pF @ 15V
Puissance - Max
7.8W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Numéro de produit de base
SIA929

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SIA929DJ-T1-GE3DKR
SIA929DJ-T1-GE3TR
SIA929DJ-T1-GE3CT
SIA929DJ-T1-GE3-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

SIZ910DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR

vishay-siliconix

SI7905DN-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212

vishay-siliconix

SQ4946AEY-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC

vishay-siliconix

SQ4917EY-T1_GE3

MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC