SIS890ADN-T1-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SIS890ADN-T1-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIS890ADN-T1-GE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 7.6A (Ta), 24.7A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventaire:

795 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12945862
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SOUMETTRE

SIS890ADN-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
25.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1330 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.6W (Ta), 39W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8
Numéro de produit de base
SIS890

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIS890ADN-T1-GE3TR
742-SIS890ADN-T1-GE3DKR
742-SIS890ADN-T1-GE3CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FDMC86160ET100
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
9913
NUMÉRO DE PIÈCE
FDMC86160ET100-DG
PRIX UNITAIRE
0.98
TYPE DE SUBSTITUT
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