Numéro de produit du fabricant:
SIR826LDP-T1-RE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIR826LDP-T1-RE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Description détaillée:
N-Channel 80 V 21.3A (Ta), 86A (Tc) 5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaire:
1818 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12945159
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SOUMETTRE
SIR826LDP-T1-RE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
21.3A (Ta), 86A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3840 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SIR826
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIR826LDP-T1-RE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RS3L045GNGZETB
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
1173
NUMÉRO DE PIÈCE
RS3L045GNGZETB-DG
PRIX UNITAIRE
0.25
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QUANTITÉ DISPONIBLE
2948
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PRIX UNITAIRE
4.10
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
1.14
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
0.81
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