Numéro de produit du fabricant:
RS6N120BHTB1
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RS6N120BHTB1-DG
Description:
NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Description détaillée:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventaire:
1763 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13000712
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SOUMETTRE
RS6N120BHTB1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.9mOhm @ 60A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3420 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
104W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-HSOP
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
RS6N120
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
846-RS6N120BHTB1TR
846-RS6N120BHTB1CT
846-RS6N120BHTB1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
GNP1070TC-ZE2
ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
GNP1150TCA-ZE2
ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
DMN2310U-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
