Numéro de produit du fabricant:
SIJH5700E-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIJH5700E-T1-GE3-DG
Description:
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Description détaillée:
N-Channel 150 V 17A (Ta), 174A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventaire:
12987365
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SOUMETTRE
SIJH5700E-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
17A (Ta), 174A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7500 pF @ 75 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 8 x 8
Emballage / Caisse
PowerPAK® 8 x 8
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
742-SIJH5700E-T1-GE3CT
742-SIJH5700E-T1-GE3TR
742-SIJH5700E-T1-GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FDD4243-G
FDD4243-G
AUIRFC8407TR
AUIRFC8407 - 30V-250V N-CHANNEL
G65P06F
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F
