Numéro de produit du fabricant:
G65P06F
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G65P06F-DG
Description:
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F
Description détaillée:
P-Channel 65A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventaire:
58000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12987385
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SOUMETTRE
G65P06F Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tube
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
65A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
39W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
4822-G65P06F
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMN2310UFB4-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMP6018LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
FCC620N60ZF
FCC620N60ZF
