Numéro de produit du fabricant:
SIHFRC20TR-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHFRC20TR-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CHANNEL 600V
Description détaillée:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
1684 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12999543
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SOUMETTRE
SIHFRC20TR-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
350 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
742-SIHFRC20TR-GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFRC20TRPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
5703
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFRC20TRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.44
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFRC20TRLPBF-BE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
4378
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFRC20TRLPBF-BE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.69
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFRC20TRPBF-BE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
3970
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFRC20TRPBF-BE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.44
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
SIHP12N50E-BE3
N-CHANNEL 500V
NTH4L040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
G7P03S
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