Numéro de produit du fabricant:
NTH4L040N120M3S
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTH4L040N120M3S-DG
Description:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 54A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventaire:
333 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12999546
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SOUMETTRE
NTH4L040N120M3S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
54A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
18V
rds activé (max) @ id, vgs
54mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1700 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
231W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4L
Emballage / Caisse
TO-247-4
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
450
Autres noms
488-NTH4L040N120M3S
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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