Numéro de produit du fabricant:
SIHFB20N50K-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHFB20N50K-E3-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12787006
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SOUMETTRE
SIHFB20N50K-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
250mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2870 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
280W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
SIHFB20
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDP22N50N
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
987
NUMÉRO DE PIÈCE
FDP22N50N-DG
PRIX UNITAIRE
1.62
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP460P2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
270
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP460P2-DG
PRIX UNITAIRE
3.30
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB20N50KPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
912
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB20N50KPBF-DG
PRIX UNITAIRE
2.28
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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