Numéro de produit du fabricant:
SIE882DF-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIE882DF-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK
Description détaillée:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Inventaire:
160 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12787019
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SOUMETTRE
SIE882DF-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6400 pF @ 12.5 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
10-PolarPAK® (L)
Emballage / Caisse
10-PolarPAK® (L)
Numéro de produit de base
SIE882
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SIE882DF-T1-GE3CT-DG
SIE882DF-T1-GE3DKR
SIE882DF-T1-GE3DKR-DG
SIE882DF-T1-GE3-DG
SIE882DF-T1-GE3TR
SIE882DF-T1-GE3TR-DG
742-SIE882DF-T1-GE3TR
742-SIE882DF-T1-GE3DKR
SIE882DF-T1-GE3CT
742-SIE882DF-T1-GE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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