Numéro de produit du fabricant:
SIHF7N60E-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHF7N60E-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
Description détaillée:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventaire:
12786972
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SIHF7N60E-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
E
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
680 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
31W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220 Full Pack
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
SIHF7
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
SIHF7N60E-GE3DKR
SIHF7N60E-GE3DKR-DG
SIHF7N60E-GE3TRINACTIVE
SIHF7N60E-GE3CT
SIHF7N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHF7N60E-GE3CT-DG
SIHF7N60E-GE3TR
SIHF7N60E-GE3TR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
V30406-T1-GE3
MOSFET N-CH SMD
SIR642DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SIR188DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
