Numéro de produit du fabricant:
SIR642DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIR642DP-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Description détaillée:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaire:
12786976
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SOUMETTRE
SIR642DP-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4155 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SIR642
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SIR642DP-T1-GE3TR
SIR642DPT1GE3
SIR642DP-T1-GE3CT
SIR642DP-T1-GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BSC022N04LSATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
18064
NUMÉRO DE PIÈCE
BSC022N04LSATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.52
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
SIR470DP-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
6457
NUMÉRO DE PIÈCE
SIR470DP-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
1.11
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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