Numéro de produit du fabricant:
SIA912DJ-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIA912DJ-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Description détaillée:
Mosfet Array 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventaire:
12787474
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SOUMETTRE
SIA912DJ-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
12V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.5A
rds activé (max) @ id, vgs
40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11.5nC @ 8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
400pF @ 6V
Puissance - Max
6.5W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Numéro de produit de base
SIA912
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SIA912DJ-T1-GE3TR
SIA912DJT1GE3
SIA912DJ-T1-GE3CT
SIA912DJ-T1-GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SIA910EDJ-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
2096
NUMÉRO DE PIÈCE
SIA910EDJ-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.17
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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