SIA910EDJ-T1-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SIA910EDJ-T1-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIA910EDJ-T1-GE3-DG

Description:

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Description détaillée:
Mosfet Array 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Inventaire:

2096 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12963199
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SOUMETTRE

SIA910EDJ-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
12V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.5A
rds activé (max) @ id, vgs
28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
455pF @ 6V
Puissance - Max
7.8W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Numéro de produit de base
SIA910

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SIA910EDJ-T1-GE3DKR
SIA910EDJ-T1-GE3CT
SIA910EDJ-T1-GE3TR
SIA910EDJT1GE3

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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