SIA465EDJ-T1-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SIA465EDJ-T1-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIA465EDJ-T1-GE3-DG

Description:

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Description détaillée:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single

Inventaire:

12916424
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SOUMETTRE

SIA465EDJ-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2130 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
19W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SC-70-6 Single
Emballage / Caisse
PowerPAK® SC-70-6
Numéro de produit de base
SIA465

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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