Numéro de produit du fabricant:
SIB412DK-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIB412DK-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Description détaillée:
N-Channel 20 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventaire:
12916427
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SOUMETTRE
SIB412DK-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
34mOhm @ 6.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.16 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
535 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SC-75-6
Emballage / Caisse
PowerPAK® SC-75-6
Numéro de produit de base
SIB412
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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