SIA110DJ-T1-GE3

Numéro de produit du fabricant:

SIA110DJ-T1-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIA110DJ-T1-GE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK

Description détaillée:

N-Channel 100 V 5.4A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Inventaire:

5350 Pièces Nouvelles Originales En Stock

12919878

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SOUMETTRE

SIA110DJ-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie

FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant

Vishay

Emballage

Tape & Reel (TR)

Série

TrenchFET® Gen IV

État du produit

Active

FET Type

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss)

100 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C

5.4A (Ta), 12A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs

55mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

13 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds

550 pF @ 50 V

Fonctionnalité FET

-

Dissipation de puissance (max.)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur

PowerPAK® SC-70-6

Emballage / Caisse

PowerPAK® SC-70-6

Numéro de produit de base

SIA110

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard

3,000

Autres noms

SIA110DJ-T1-GE3TR-DG

742-SIA110DJ-T1-GE3DKR

SIA110DJ-T1-GE3CT-DG

SIA110DJ-T1-GE3TR

SIA110DJ-T1-GE3DKR

742-SIA110DJ-T1-GE3TR

SIA110DJ-T1-GE3DKR-DG

SIA110DJ-T1-GE3CT

742-SIA110DJ-T1-GE3CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS

ROHS3 Compliant

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)

1 (Unlimited)

Statut REACH

Vendor Undefined

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certification DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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