SIHG47N60EF-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SIHG47N60EF-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIHG47N60EF-GE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Description détaillée:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventaire:

450 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12919885
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SOUMETTRE

SIHG47N60EF-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
47A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
67mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4854 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
379W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AC
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SIHG47

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
500

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
STW56N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
31
NUMÉRO DE PIÈCE
STW56N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
4.61
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STW57N65M5-4
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
33
NUMÉRO DE PIÈCE
STW57N65M5-4-DG
PRIX UNITAIRE
6.48
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STWA57N65M5
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
90
NUMÉRO DE PIÈCE
STWA57N65M5-DG
PRIX UNITAIRE
5.27
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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