Numéro de produit du fabricant:
SI8805EDB-T2-E1
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI8805EDB-T2-E1-DG
Description:
MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
Description détaillée:
P-Channel 8 V 2.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Inventaire:
12912518
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SOUMETTRE
SI8805EDB-T2-E1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
8 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
68mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±5V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-Microfoot
Emballage / Caisse
4-XFBGA, CSPBGA
Numéro de produit de base
SI8805
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI8805EDB-T2-E1-DG
SI8805EDB-T2-E1CT
SI8805EDB-T2-E1TR
SI8805EDB-T2-E1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI8823EDB-T2-E1
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
2971
NUMÉRO DE PIÈCE
SI8823EDB-T2-E1-DG
PRIX UNITAIRE
0.08
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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