SI8823EDB-T2-E1
Numéro de produit du fabricant:

SI8823EDB-T2-E1

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI8823EDB-T2-E1-DG

Description:

MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT
Description détaillée:
P-Channel 20 V 2.7A (Tc) 900mW (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)

Inventaire:

2971 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12913356
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SOUMETTRE

SI8823EDB-T2-E1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen III
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
95mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
580 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
900mW (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Emballage / Caisse
4-XFBGA
Numéro de produit de base
SI8823

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SI8823EDB-T2-E1TR
SI8823EDB-T2-E1CT
SI8823EDB-T2-E1DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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