Numéro de produit du fabricant:
SI8466EDB-T2-E1
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI8466EDB-T2-E1-DG
Description:
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Description détaillée:
N-Channel 8 V 3.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Inventaire:
4012 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12920600
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SI8466EDB-T2-E1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
8 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
43mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
710 pF @ 4 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-Microfoot
Emballage / Caisse
4-UFBGA, WLCSP
Numéro de produit de base
SI8466
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI8466EDB-T2-E1TR
SI8466EDB-T2-E1CT
SI8466EDB-T2-E1DKR
SI8466EDBT2E1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TN2404K-T1-E3
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
SIHF18N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
SI4447ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
