SI4447ADY-T1-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SI4447ADY-T1-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI4447ADY-T1-GE3-DG

Description:

MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Description détaillée:
P-Channel 40 V 7.2A (Tc) 4.2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventaire:

9014 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12920613
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SI4447ADY-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
45mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
970 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
4.2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
SI4447

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4447ADY-T1-GE3TR
SI4447ADY-T1-GE3CT
SI4447ADY-T1-GE3DKR
SI4447ADY-T1-GE3-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

SUD70090E-GE3

MOSFET N-CH 100V 50A TO252

vishay-siliconix

SI2327DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3

vishay-siliconix

SI8465DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT

vishay-siliconix

SQ2361ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23