Numéro de produit du fabricant:
SI8416DB-T2-E1
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI8416DB-T2-E1-DG
Description:
MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
Description détaillée:
N-Channel 8 V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Inventaire:
16052 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12914146
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SOUMETTRE
SI8416DB-T2-E1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
8 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1470 pF @ 4 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Emballage / Caisse
6-UFBGA
Numéro de produit de base
SI8416
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI8416DB-T2-E1-DG
SI8416DB-T2-E1DKR
SI8416DB-T2-E1CT
SI8416DB-T2-E1TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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