Numéro de produit du fabricant:
SI7615CDN-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI7615CDN-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Description détaillée:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventaire:
3 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12914159
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SOUMETTRE
SI7615CDN-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen III
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
9mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3860 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
33W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8
Numéro de produit de base
SI7615
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI7615CDN-T1-GE3TR
SI7615CDN-T1-GE3CT
SI7615CDN-T1-GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TPN4R712MD,L1Q
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
7052
NUMÉRO DE PIÈCE
TPN4R712MD,L1Q-DG
PRIX UNITAIRE
0.25
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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