Numéro de produit du fabricant:
SI8407DB-T2-E1
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI8407DB-T2-E1-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 5.8A 6MICRO FOOT
Description détaillée:
P-Channel 20 V 5.8A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 6-Micro Foot™ (2.4x2)
Inventaire:
12912904
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SOUMETTRE
SI8407DB-T2-E1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
27mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 350µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.47W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-Micro Foot™ (2.4x2)
Emballage / Caisse
6-MICRO FOOT®CSP
Numéro de produit de base
SI8407
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI8407DB-T2-E1TR
SI8407DB-T2-E1CT
SI8407DB-T2-E1DKR
SI8407DBT2E1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI8425DB-T1-E1
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
900
NUMÉRO DE PIÈCE
SI8425DB-T1-E1-DG
PRIX UNITAIRE
0.17
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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