Numéro de produit du fabricant:
SI7462DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI7462DP-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
Description détaillée:
N-Channel 200 V 2.6A (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaire:
12916066
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SOUMETTRE
SI7462DP-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
rds activé (max) @ id, vgs
130mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SI7462
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI7462DPT1GE3
SI7462DP-T1-GE3TR
SI7462DP-T1-GE3CT
SI7462DP-T1-GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BSC12DN20NS3GATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
11979
NUMÉRO DE PIÈCE
BSC12DN20NS3GATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.52
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
SI7450DP-T1-E3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
4082
NUMÉRO DE PIÈCE
SI7450DP-T1-E3-DG
PRIX UNITAIRE
1.06
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
SI7450DP-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
2643
NUMÉRO DE PIÈCE
SI7450DP-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
1.14
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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