SI4322DY-T1-E3
Numéro de produit du fabricant:

SI4322DY-T1-E3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI4322DY-T1-E3-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Description détaillée:
N-Channel 30 V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventaire:

12916090
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SI4322DY-T1-E3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1640 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
SI4322

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4322DYT1E3
SI4322DY-T1-E3DKR
SI4322DY-T1-E3CT
SI4322DY-T1-E3TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRF8714TRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
26446
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF8714TRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.21
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS8880
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
16306
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS8880-DG
PRIX UNITAIRE
0.24
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6680A
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
2496
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6680A-DG
PRIX UNITAIRE
0.32
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM085P03CS RLG
FABRICANT
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTITÉ DISPONIBLE
17000
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM085P03CS RLG-DG
PRIX UNITAIRE
0.32
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
RJK0355DSP-00#J0
FABRICANT
Renesas Electronics Corporation
QUANTITÉ DISPONIBLE
10000
NUMÉRO DE PIÈCE
RJK0355DSP-00#J0-DG
PRIX UNITAIRE
0.44
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

SI7455DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIS890DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SQJ409EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIE818DF-T1-E3

MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK