Numéro de produit du fabricant:
SI4972DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI4972DY-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 10.8A, 7.2A 3.1W, 2.5W Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12919596
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SOUMETTRE
SI4972DY-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10.8A, 7.2A
rds activé (max) @ id, vgs
14.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1080pF @ 15V
Puissance - Max
3.1W, 2.5W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
SI4972
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
Certification DIGI
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