SI3983DV-T1-E3
Numéro de produit du fabricant:

SI3983DV-T1-E3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI3983DV-T1-E3-DG

Description:

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6TSOP
Description détaillée:
Mosfet Array 20V 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP

Inventaire:

12919645
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SOUMETTRE

SI3983DV-T1-E3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
20V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.1A
rds activé (max) @ id, vgs
110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
-
Puissance - Max
830mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Numéro de produit de base
SI3983

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SI3983DV-T1-E3CT
SI3983DV-T1-E3TR
SI3983DV-T1-E3DKR
SI3983DVT1E3

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FDC6310P
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
7945
NUMÉRO DE PIÈCE
FDC6310P-DG
PRIX UNITAIRE
0.18
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDC6312P
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
7879
NUMÉRO DE PIÈCE
FDC6312P-DG
PRIX UNITAIRE
0.18
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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