SI4914BDY-T1-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SI4914BDY-T1-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI4914BDY-T1-GE3-DG

Description:

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 8.4A, 8A 2.7W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC

Inventaire:

12915777
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SOUMETTRE

SI4914BDY-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
LITTLE FOOT®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.4A, 8A
rds activé (max) @ id, vgs
21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
-
Puissance - Max
2.7W, 3.1W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
SI4914

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4914BDY-T1-GE3CT
SI4914BDY-T1-GE3DKR
SI4914BDYT1GE3
SI4914BDY-T1-GE3TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
SI4816BDY-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4816BDY-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.63
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
SH8K4TB1
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2436
NUMÉRO DE PIÈCE
SH8K4TB1-DG
PRIX UNITAIRE
0.73
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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