SIF912EDZ-T1-E3
Numéro de produit du fabricant:

SIF912EDZ-T1-E3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIF912EDZ-T1-E3-DG

Description:

MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 7.4A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5)

Inventaire:

12915834
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SOUMETTRE

SIF912EDZ-T1-E3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.4A
rds activé (max) @ id, vgs
19mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
-
Puissance - Max
1.6W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
PowerPAK® 2x5
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® (2x5)
Numéro de produit de base
SIF912

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SIF912EDZ-T1-E3TR
SIF912EDZT1E3
SIF912EDZ-T1-E3CT
SIF912EDZ-T1-E3DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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