Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
SI4860DY-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI4860DY-T1-E3-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Description détaillée:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12914039
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SI4860DY-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.6W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
SI4860
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4860DYT1E3
SI4860DY-T1-E3DKR
SI4860DY-T1-E3TR
SI4860DY-T1-E3CT
SI4860DY-T1-E3-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF7807ZTRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
4903
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF7807ZTRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.24
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6690A
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
4652
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6690A-DG
PRIX UNITAIRE
0.24
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6670A
FABRICANT
Fairchild Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2525
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6670A-DG
PRIX UNITAIRE
0.36
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF8707TRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
27101
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF8707TRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.14
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6680A
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
2496
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6680A-DG
PRIX UNITAIRE
0.32
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFS11N50ATRL
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
IXTP3N60P
MOSFET N-CH 600V 3A TO220AB
IRFR024TRPBF
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IRFP450NPBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3