FDS6670A
Numéro de produit du fabricant:

FDS6670A

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDS6670A-DG

Description:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Description détaillée:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventaire:

2525 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12978130
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

FDS6670A Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2220 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
779
Autres noms
ONSFSCFDS6670A
2156-FDS6670AND

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
central-semiconductor

CP802-CWDM3011P-WN

MOSFET P-CH 30V 11A DIE

infineon-technologies

IPP65R050CFD7AAKSA1

MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3

nxp-semiconductors

BUK7611-55A,118

NOW NEXPERIA BUK7611-55A - 75A,

infineon-technologies

IPW65R099CFD7AXKSA1

MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41