Numéro de produit du fabricant:
SI4511DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI4511DY-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
Description détaillée:
Mosfet Array 20V 7.2A, 4.6A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12962173
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SI4511DY-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
20V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.2A, 4.6A
rds activé (max) @ id, vgs
14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
-
Puissance - Max
1.1W
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
SI4511
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4511DYT1GE3
SI4511DY-T1-GE3CT
SI4511DY-T1-GE3DKR
SI4511DY-T1-GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMC2020USD-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMC2020USD-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.25
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
SI1917EDH-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
MSCSM170HRM075NG
SIC 4N-CH 1700V/1200V 337A
SI7540DP-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO8
