Numéro de produit du fabricant:
SI3477DV-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI3477DV-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Description détaillée:
P-Channel 12 V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventaire:
29726 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12913659
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SOUMETTRE
SI3477DV-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
17.5mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2600 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
SI3477
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI3477DV-T1-GE3CT
SI3477DV-T1-GE3DKR
2266-SI3477DV-T1-GE3TR
SI3477DV-T1-GE3TR
SI3477DVT1GE3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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