Numéro de produit du fabricant:
SI5856DC-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI5856DC-T1-E3-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8
Description détaillée:
N-Channel 20 V 4.4A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventaire:
12913660
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SOUMETTRE
SI5856DC-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
1.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
1206-8 ChipFET™
Emballage / Caisse
8-SMD, Flat Lead
Numéro de produit de base
SI5856
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI5856DC-T1-E3TR
SI5856DC-T1-E3CT
SI5856DC-T1-E3DKR
SI5856DCT1E3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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