Numéro de produit du fabricant:
SI2342DS-T1-BE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI2342DS-T1-BE3-DG
Description:
N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 8 V 6A (Ta), 6A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventaire:
2875 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13000230
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SOUMETTRE
SI2342DS-T1-BE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
8 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Ta), 6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1070 pF @ 4 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SI2342DS-T1-BE3CT
742-SI2342DS-T1-BE3DKR
742-SI2342DS-T1-BE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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