SQJA68EP-T1_BE3
Numéro de produit du fabricant:

SQJA68EP-T1_BE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SQJA68EP-T1_BE3-DG

Description:

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Description détaillée:
N-Channel 100 V 14A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventaire:

2278 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13000235
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SOUMETTRE

SQJA68EP-T1_BE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
92mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
280 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
45W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SQJA68EP-T1_BE3CT
742-SQJA68EP-T1_BE3DKR
742-SQJA68EP-T1_BE3TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMT4008LFDF-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-

diodes

DMN3069L-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

taiwan-semiconductor

TSM4806CS

20V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWER

goford-semiconductor

G65P06K

P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3.