SI2323DS-T1-BE3
Numéro de produit du fabricant:

SI2323DS-T1-BE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI2323DS-T1-BE3-DG

Description:

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Description détaillée:
P-Channel 20 V 3.7A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventaire:

4771 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13000408
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SOUMETTRE

SI2323DS-T1-BE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1020 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
750mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SI2323DS-T1-BE3CT
742-SI2323DS-T1-BE3TR
742-SI2323DS-T1-BE3DKR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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N-CHANNEL 100V

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P-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET

goford-semiconductor

G30N03D3

N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

diodes

DMP1011LFVQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333