Numéro de produit du fabricant:
DMP1011LFVQ-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMP1011LFVQ-7-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Description détaillée:
P-Channel 12 V 13A (Ta), 19A (Tc) 1.05W Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventaire:
13000420
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SOUMETTRE
DMP1011LFVQ-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Ta), 19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
11.7mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 6 V
Vgs (max.)
-6V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
913 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.05W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMP1011
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
31-DMP1011LFVQ-7TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMT69M5LFVW-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
UPA1727G-E1-AT
UPA1727G-E1-AT - MOS FIELD EFFEC
G3R12MT12K
1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE