Numéro de produit du fabricant:
SI2306BDS-T1-BE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI2306BDS-T1-BE3-DG
Description:
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 30 V 3.16A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventaire:
12977804
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SOUMETTRE
SI2306BDS-T1-BE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.16A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4.5 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
305 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
750mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SI2306BDS-T1-BE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI2306BDS-T1-E3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
14595
NUMÉRO DE PIÈCE
SI2306BDS-T1-E3-DG
PRIX UNITAIRE
0.16
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
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