Numéro de produit du fabricant:
SI3460BDV-T1-BE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI3460BDV-T1-BE3-DG
Description:
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 20 V 6.7A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventaire:
2903 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12977805
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SOUMETTRE
SI3460BDV-T1-BE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.7A (Ta), 8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
860 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 3.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SI3460BDV-T1-BE3CT
742-SI3460BDV-T1-BE3TR
742-SI3460BDV-T1-BE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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