Numéro de produit du fabricant:
SI1913DH-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI1913DH-T1-E3-DG
Description:
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
Description détaillée:
Mosfet Array 20V 880mA 570mW Surface Mount SC-70-6
Inventaire:
12955057
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SOUMETTRE
SI1913DH-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
20V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
880mA
rds activé (max) @ id, vgs
490mOhm @ 880mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
-
Puissance - Max
570mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-70-6
Numéro de produit de base
SI1913
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI1913DH-T1-E3DKR
SI1913DH-T1-E3CT
SI1913DH-T1-E3TR
SI1913DHT1E3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NTJD4152PT1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
15411
NUMÉRO DE PIÈCE
NTJD4152PT1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.10
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDG6304P
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
6300
NUMÉRO DE PIÈCE
FDG6304P-DG
PRIX UNITAIRE
0.15
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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