Numéro de produit du fabricant:
NDS9952A-F011
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NDS9952A-F011-DG
Description:
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 2.9A 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12958363
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SOUMETTRE
NDS9952A-F011 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.9A
rds activé (max) @ id, vgs
80mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V, 5nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
320pF @ 10V
Puissance - Max
900mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
NDS995
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
488-NDS9952A-F011TR
2832-NDS9952A-F011TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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