SI1427EDH-T1-BE3
Numéro de produit du fabricant:

SI1427EDH-T1-BE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI1427EDH-T1-BE3-DG

Description:

MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6
Description détaillée:
P-Channel 20 V 2A (Ta), 2A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6

Inventaire:

12945877
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SI1427EDH-T1-BE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Ta), 2A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
64mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±8V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-70-6
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base
SI1427

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SI1427EDH-T1-BE3TR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
toshiba-semiconductor-and-storage

TK125V65Z,LQ

MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN

vishay-siliconix

IRF9Z34PBF-BE3

MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB

vishay-siliconix

IRF630PBF-BE3

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

vishay-siliconix

IRF624PBF-BE3

MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB