SI1302DL-T1-BE3
Numéro de produit du fabricant:

SI1302DL-T1-BE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI1302DL-T1-BE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Description détaillée:
N-Channel 30 V 600mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SC-70-3

Inventaire:

3003 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12978480
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SOUMETTRE

SI1302DL-T1-BE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
600mA (Ta)
rds activé (max) @ id, vgs
480mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
280mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-70-3
Emballage / Caisse
SC-70, SOT-323
Numéro de produit de base
SI1302

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SI1302DL-T1-BE3DKR
742-SI1302DL-T1-BE3TR
742-SI1302DL-T1-BE3CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
fairchild-semiconductor

FCA22N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

infineon-technologies

IAUC120N06S5N017ATMA1

MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43

vishay-siliconix

IRFR010PBF-BE3

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

diodes

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MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R